Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора M.2

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6750 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1240 Мб/с, скорость чтения: 3230 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5200 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 5200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1024 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 540 Мб/с, скорость чтения: 570 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4900 Мб/с, скорость чтения: 5150 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб (буфер: 1000 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5500 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4600 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 4900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5500 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 500 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 240 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 900 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 43000 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4600 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6600 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC, скорость записи: 430 Мб/с, скорость чтения: 530 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6600 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1145 Мб/с, скорость чтения: 1871 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4600 Мб/с, скорость чтения: 4900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1309 Мб/с, скорость чтения: 2018 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 4100 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe