SSD Итерфейс PCI-E

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1950 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3100 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2350 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 1550 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1024 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3450 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2350 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1024 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM