SSD Итерфейс PCI-E

Сортировать по
Вид
Samsung MZ-V7S250BW Samsung MZ-V7S250BW

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

Samsung MZ-V7S500BW Samsung MZ-V7S500BW

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Samsung MZ-V7E500BW Samsung MZ-V7E500BW

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Western Digital WD Blue SN550 1 TB (WDS100T2B0C) Western Digital WD Blue SN550 1 TB (WDS100T2B0C)

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1950 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск GIGABYTE GP-GSM2NE3128GNTD GIGABYTE GP-GSM2NE3128GNTD

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Samsung MZ-V7S1T0BW Samsung MZ-V7S1T0BW

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск SmartBuy Impact E12 256 GB (SBSSD-256GT-PH12-M2P4) SmartBuy Impact E12 256 GB (SBSSD-256GT-PH12-M2P4)

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3100 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск ADATA XPG GAMMIX S11 Pro 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro 512GB

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2350 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск ADATA XPG GAMMIX S5 512GB ADATA XPG GAMMIX S5 512GB

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск Samsung MZ-V7S2T0BW Samsung MZ-V7S2T0BW

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск GIGABYTE GP-GSM2NE3512GNTD GIGABYTE GP-GSM2NE3512GNTD

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 1550 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Patriot Memory VPN100-1TBM28H Patriot Memory VPN100-1TBM28H

объем 1024 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3450 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск ADATA XPG SX8200 Pro 512GB ADATA XPG SX8200 Pro 512GB

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2350 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск Kingston SA2000M8/250G Kingston SA2000M8/250G

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск ADATA XPG GAMMIX S5 256GB ADATA XPG GAMMIX S5 256GB

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск Kingston SA2000M8/1000G Kingston SA2000M8/1000G

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск Samsung MZ-V7P1T0BW Samsung MZ-V7P1T0BW

объем 1024 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Samsung MZ-V7E1T0BW Samsung MZ-V7E1T0BW

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Patriot Memory VPN100-512GM28H Patriot Memory VPN100-512GM28H

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Silicon Power P34A80 512GB SP512GBP34A80M28 Silicon Power P34A80 512GB SP512GBP34A80M28

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск Patriot Memory P300P256GM28 Patriot Memory P300P256GM28

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

SSD диск SmartBuy Stream E13T Pro 128 GB (SBSSD-128GT-PH13P-M2P4) SmartBuy Stream E13T Pro 128 GB (SBSSD-128GT-PH13P-M2P4)

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск GIGABYTE AORUS 1000 GB (GP-AG41TB) GIGABYTE AORUS 1000 GB (GP-AG41TB)

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

SSD диск Samsung MZ-V7P512BW Samsung MZ-V7P512BW

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Объем
Назначение
Форм-фактор
Объем буфера
SATA
Интерфейс SAS
Интерфейс PCI-E
Тип PCI-E
Скорость записи, Мб/с
Скорость чтения, Мб/с
Магазины
выберите минимум 2 товара