Твердотельные накопители (SSD) GigaByte

объем 240 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 420 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 1550 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 256 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 500 Мб/с, скорость чтения: 520 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 480 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 480 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 500 Мб/с, скорость чтения: 530 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 256 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1050 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 8000 Гб (буфер: 8192 Мб), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 15000 Мб/с, скорость чтения: 15000 Мб/с, PCI-E 4.0 x16, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1024 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: PCl Express Card, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3080 Мб/с, скорость чтения: 3480 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3480 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: PCl Express Card, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3480 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 1000 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб (буфер: 2000 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 500 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 256 Гб (буфер: 256 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 500 Мб/с, скорость чтения: 530 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 6300 Мб/с, PCI-E 3.0 x8, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2 (2280), флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM