Твердотельные накопители (SSD) Samsung

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 5.0 x2, NVMe

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2900 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 3840 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 5500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 5.0 x2, NVMe

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 4100 Мб/с, скорость чтения: 6900 Мб/с

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, PCI-E 5.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 2600 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 480 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 470 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 8000 Гб (буфер: 8192 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 470 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 240 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, PCI-E 5.0 x4

объем 1920 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, PCI-E 5.0 x4

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 470 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с

объем 240 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 320 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 3800 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2400 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC