Страница 2 - Твердотельные накопители (SSD) Samsung

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 4000 Гб (буфер: 4096 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 15360 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1920 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 3800 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 6400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с

объем 15360 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 3200 Гб, форм-фактор: плата расширения, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3800 Мб/с, скорость чтения: 8000 Мб/с, PCI-E 4.0 x8, NVMe

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 6400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 15360 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6700 Мб/с

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 15360 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2400 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1250 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, PCI-E 5.0 x4

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 6900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 480 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 540 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, PCI-E 5.0 x4

объем 30720 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 540 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 3800 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 3840 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2400 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 6400 Гб, форм-фактор: плата расширения, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3800 Мб/с, скорость чтения: 8000 Мб/с, PCI-E 4.0 x8, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 3.84 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: 2.5'', флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 3840 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 470 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 800 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с