SSD диск Samsung MZ-V7S1T0BW
- FK.BY: 332,99 б.р.
- SLI.BY: 341,55 б.р.
- Emmet: 528,78 б.р.
- algo.by: 322,84 б.р.
- Newton.by: 322,84 б.р.
- Jetman.by: 422,00 б.р.
объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
Описание Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S2T0BW – обновленная версия накопителя 970 EVO. Технология V-NAND обеспечивают лучшую производительность при меньшем энергопотреблении. Улучшенная оптимизация прошивки, контроллер Phoenix и интеллектуальная технология Intelligent TurboWrite позволяют добиться высоких скоростных характеристик – до 3500/3300 Mб/с чтения/записи. Samsung MZ-V7S2T0BW реализован в форм-факторе M.2 (2280) – это значительно сэкономит место в системном блоке. Емкость SSD-диска составляет 1000 Гб, что позволит хранить большое количество данных. Рабочего ресурса записи в 600 TBW достаточно для длительного использования накопителя.
Улучшенное никелевое покрытие и теплораспределитель, дополненные функцией динамической теплозащиты (Dynamic Thermal Guard), поддерживают оптимальную температуру устройства, позволяя избежать просадок в производительности. Приложение Samsung Magician осуществляет мониторинг работы накопителя и предоставляет инструменты для поддержания его работоспособности и улучшения быстродействия. Модуль шифрования данных поможет защитить конфиденциальную информацию от несанкционированного доступа и обеспечивает высокий уровень безопасности.
Общие характеристики
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
|---|---|
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 1 000 Гб |
| Объем буфера | 1 024 Мб |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Скорость записи | 3 300 Мб/с |
| Скорость чтения | 3 500 Мб/с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) | 550 000 IOPS |
| Скорость случайного чтения | 600 000 IOPS |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 600 Тб |
| Поддержка NCQ | |
| Время наработки на отказ | 1 500 000 ч |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
| Год выхода на рынок | 2019 г. |
| PCI-E | |
|---|---|
| Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
| M.2 | |
| Размеры M.2 | 2 280 |
| NVMe |
| Шифрование данных | |
|---|---|
| Потребляемая мощность (чтение/запись) | 6 Вт |
| Потребляемая мощность (ожидание) | 0.03 Вт |
| Высота | 2.38 мм |
|---|---|
| Длина | 80.15 мм |
| Ширина | 22.15 мм |
| Вес | 8 г |
| Декабрь 2023 | 302,21 б.р. | |
|---|---|---|
| Январь 2024 | 333,60 б.р. | +31,39 |
| Февраль 2024 | 336,80 б.р. | +3,20 |
| Март 2024 | 348,29 б.р. | +11,49 |
| Апрель 2024 | 358,26 б.р. | +9,97 |
| Май 2024 | 365,37 б.р. | +7,11 |
| Июнь 2024 | 341,59 б.р. | -23,78 |
| Июль 2024 | 327,18 б.р. | -14,41 |
| Август 2024 | 350,30 б.р. | +23,12 |
| Сентябрь 2024 | 332,85 б.р. | -17,45 |
| Октябрь 2024 | 321,30 б.р. | -11,55 |
Сравнивают с Samsung MZ-V7S1T0BW
Полное сравнение|
|
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
| Цена | от 320,80 б.р. | от 296,70 б.р. | от 224,30 б.р. | от 625,99 б.р. | от 427,80 б.р. | от 338,10 б.р. | от 467,99 б.р. |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND | V-NAND 3-bit MLC | TLC 3D NAND | MLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND |
| Форм-фактор | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 |
| Объем | 1 000 Гб | 1 000 Гб | 500 Гб | 1 000 Гб | 1 000 Гб | 1 000 Гб | 500 Гб |
| Объем буфера | 1 024 Мб | 512 Мб | 1 024 Мб | 1 024 Мб | 1 024 Мб | 512 Мб | |
| Скорость записи | 3 300 Мб/с | 3 000 Мб/с | 3 200 Мб/с | 2 700 Мб/с | 5 000 Мб/с | 6 000 Мб/с | 5 000 Мб/с |
Отзывы о Samsung MZ-V7S1T0BW