SSD Итерфейс PCI-E

объем 256 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1315 Мб/с, скорость чтения: 3210 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1000 Мб/с, PCI-E 3.0 x2, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2900 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1550 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1270 Мб/с, скорость чтения: 2040 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 8500 Мб/с, скорость чтения: 9500 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6700 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 9500 Мб/с, скорость чтения: 11700 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6100 Мб/с, скорость чтения: 7200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 400 Мб/с, скорость чтения: 1600 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1600 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2900 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3430 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 3100 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1650 Мб/с, скорость чтения: 2050 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2830 Мб/с, скорость чтения: 3600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 960 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5100 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 11800 Мб/с, скорость чтения: 12400 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 594 Мб/с, скорость чтения: 1591 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 6400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 500 Мб/с, скорость чтения: 1500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2900 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1700 Мб/с, скорость чтения: 2040 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3600 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 3325 Мб/с, скорость чтения: 4125 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4700 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe