Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора M.2

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 700 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3120 Мб/с, скорость чтения: 3445 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 420 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4600 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1700 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1550 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3430 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3600 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 1700 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 800 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3600 Мб/с, скорость чтения: 4000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 120 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 350 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 11800 Мб/с, скорость чтения: 12400 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 600 Мб/с, скорость чтения: 1600 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, SATA 6Gb/s

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 6900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 1650 Мб/с, PCI-E 3.0 x2

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 330 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 4950 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 5500 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: mSATA, M.2, флэш-память: MLC, скорость записи: 490 Мб/с, скорость чтения: 540 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 440 Мб/с, скорость чтения: 510 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1217 Мб/с, скорость чтения: 1936 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe