Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора M.2

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1309 Мб/с, скорость чтения: 2018 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4600 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4800 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6200 Мб/с, скорость чтения: 7100 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1145 Мб/с, скорость чтения: 1871 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 5.0 x2, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5700 Мб/с, скорость чтения: 7200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2430 Мб/с, скорость чтения: 3545 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1625 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 800 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3600 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 330 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 480 Мб/с, скорость чтения: 530 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC, скорость записи: 495 Мб/с, скорость чтения: 520 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 480 Мб/с, скорость чтения: 530 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3090 Мб/с, скорость чтения: 3540 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1700 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 4600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1024 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1900 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC, скорость записи: 480 Мб/с, скорость чтения: 530 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1920 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4