Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора M.2

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1145 Мб/с, скорость чтения: 1871 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 240 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 900 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3900 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2900 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб (буфер: 1000 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 6600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe