SSD диск Samsung MZ-V7S2T0BW
- SLI.BY: 706,95 б.р.
- MULTICOM: 705,03 б.р.
- Force: 688,20 б.р.
- БЕЗНАЛ: 772,00 б.р.
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
Описание Samsung MZ-V7S2T0BW
Samsung MZ-V7S2T0BW – обновленная версия накопителя 970 EVO. Технология V-NAND обеспечивают лучшую производительность при меньшем энергопотреблении. Улучшенная оптимизация прошивки, контроллер Phoenix и интеллектуальная технология Intelligent TurboWrite позволяют добиться высоких скоростных характеристик – до 3500/3300 Mб/с чтения/записи. Samsung MZ-V7S2T0BW реализован в форм-факторе M.2 (2280) – это значительно сэкономит место в системном блоке. Емкость SSD-диска составляет 2000 Гб, что позволит хранить большое количество данных. Рабочего ресурса записи в 1200 TBW достаточно для длительного использования накопителя.
Улучшенное никелевое покрытие и теплораспределитель, дополненные функцией динамической теплозащиты (Dynamic Thermal Guard), поддерживают оптимальную температуру устройства, позволяя избежать просадок в производительности. Приложение Samsung Magician осуществляет мониторинг работы накопителя и предоставляет инструменты для поддержания его работоспособности и улучшения быстродействия. Модуль шифрования данных поможет защитить конфиденциальную информацию от несанкционированного доступа и обеспечивает высокий уровень безопасности.
Общие характеристики
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
|---|---|
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 2 000 Гб |
| Объем буфера | 2 048 Мб |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Скорость записи | 3 300 Мб/с |
| Скорость чтения | 3 500 Мб/с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) | 560 000 IOPS |
| Скорость случайного чтения | 620 000 IOPS |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 1 200 Тб |
| Поддержка NCQ | |
| Время наработки на отказ | 1 500 000 ч |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
| Год выхода на рынок | 2019 г. |
| PCI-E | |
|---|---|
| Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
| M.2 | |
| Размеры M.2 | 2 280 |
| NVMe | |
| Версия NVMe | 1.3 |
| Шифрование данных | |
|---|---|
| Потребляемая мощность (чтение/запись) | 6 Вт |
| Потребляемая мощность (ожидание) | 0.03 Вт |
| Комплект поставки | RTL |
| Высота | 2.38 мм |
|---|---|
| Длина | 80.15 мм |
| Ширина | 22.15 мм |
| Вес | 8 г |
| Май 2024 | 671,98 б.р. | |
|---|---|---|
| Июнь 2024 | 633,30 б.р. | -38,68 |
| Июль 2024 | 575,31 б.р. | -57,99 |
| Август 2024 | 541,53 б.р. | -33,78 |
| Сентябрь 2024 | 553,73 б.р. | +12,20 |
| Октябрь 2024 | 587,69 б.р. | +33,96 |
| Ноябрь 2024 | 716,28 б.р. | +128,59 |
| Декабрь 2024 | 694,75 б.р. | -21,53 |
| Январь 2025 | 622,89 б.р. | -71,86 |
| Февраль 2025 | 604,07 б.р. | -18,82 |
| Март 2025 | 587,11 б.р. | -16,96 |
Сравнивают с Samsung MZ-V7S2T0BW
Полное сравнение|
|
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
| Цена | от 688,20 б.р. | от 607,60 б.р. | от 570,40 б.р. | от 613,80 б.р. | от 412,30 б.р. | от 359,60 б.р. | от 341,00 б.р. |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | |
| Форм-фактор | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | 2.5'' |
| Объем | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 1 000 Гб | 2 000 Гб |
| Объем буфера | 2 048 Мб | 2 048 Мб | 2 048 Мб | 1 024 Мб | |||
| Скорость записи | 3 300 Мб/с | 6 900 Мб/с | 7 000 Мб/с | 5 100 Мб/с | 6 800 Мб/с | 3 300 Мб/с | 490 Мб/с |
Отзывы о Samsung MZ-V7S2T0BW