SSD диск Samsung MZ-V7S2T0BW
- FK.BY: 765,99 б.р.
- Технохит: 724,50 б.р.
- Newton.by: 820,51 б.р.
- Force: 724,50 б.р.
- MULTICOM: 740,73 б.р.
- 21vek.by: 828,12 б.р.
объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM
Описание Samsung MZ-V7S2T0BW
Samsung MZ-V7S2T0BW – обновленная версия накопителя 970 EVO. Технология V-NAND обеспечивают лучшую производительность при меньшем энергопотреблении. Улучшенная оптимизация прошивки, контроллер Phoenix и интеллектуальная технология Intelligent TurboWrite позволяют добиться высоких скоростных характеристик – до 3500/3300 Mб/с чтения/записи. Samsung MZ-V7S2T0BW реализован в форм-факторе M.2 (2280) – это значительно сэкономит место в системном блоке. Емкость SSD-диска составляет 2000 Гб, что позволит хранить большое количество данных. Рабочего ресурса записи в 1200 TBW достаточно для длительного использования накопителя.
Улучшенное никелевое покрытие и теплораспределитель, дополненные функцией динамической теплозащиты (Dynamic Thermal Guard), поддерживают оптимальную температуру устройства, позволяя избежать просадок в производительности. Приложение Samsung Magician осуществляет мониторинг работы накопителя и предоставляет инструменты для поддержания его работоспособности и улучшения быстродействия. Модуль шифрования данных поможет защитить конфиденциальную информацию от несанкционированного доступа и обеспечивает высокий уровень безопасности.
Общие характеристики
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND |
|---|---|
| Контроллер | Samsung Phoenix |
| Форм-фактор | M.2 |
| Объем | 2 000 Гб |
| Объем буфера | 2 048 Мб |
| Кэш | DRAM-буфер |
| Скорость записи | 3 300 Мб/с |
| Скорость чтения | 3 500 Мб/с |
| Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) | 560 000 IOPS |
| Скорость случайного чтения | 620 000 IOPS |
| Суммарное число записываемых байтов (TBW) | 1 200 Тб |
| Поддержка NCQ | |
| Время наработки на отказ | 1 500 000 ч |
| Охлаждение | |
| Подсветка | |
| Год выхода на рынок | 2019 г. |
| PCI-E | |
|---|---|
| Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
| M.2 | |
| Размеры M.2 | 2 280 |
| NVMe |
| Шифрование данных | |
|---|---|
| Потребляемая мощность (чтение/запись) | 6 Вт |
| Потребляемая мощность (ожидание) | 0.03 Вт |
| Высота | 2.38 мм |
|---|---|
| Длина | 80.15 мм |
| Ширина | 22.15 мм |
| Вес | 8 г |
| Декабрь 2023 | 540,94 б.р. | |
|---|---|---|
| Январь 2024 | 567,85 б.р. | +26,91 |
| Февраль 2024 | 600,68 б.р. | +32,83 |
| Март 2024 | 594,58 б.р. | -6,10 |
| Апрель 2024 | 666,25 б.р. | +71,67 |
| Май 2024 | 671,98 б.р. | +5,73 |
| Июнь 2024 | 633,30 б.р. | -38,68 |
| Июль 2024 | 575,31 б.р. | -57,99 |
| Август 2024 | 541,53 б.р. | -33,78 |
| Сентябрь 2024 | 553,73 б.р. | +12,20 |
| Октябрь 2024 | 587,69 б.р. | +33,96 |
Сравнивают с Samsung MZ-V7S2T0BW
Полное сравнение|
|
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
| Цена | от 724,50 б.р. | от 829,99 б.р. | от 537,20 б.р. | от 677,99 б.р. | от 506,59 б.р. | от 320,80 б.р. | от 483,00 б.р. |
| Тип флэш-памяти | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | TLC 3D NAND | |
| Форм-фактор | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | M.2 | 2.5'' |
| Объем | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 2 000 Гб | 1 000 Гб | 2 000 Гб |
| Объем буфера | 2 048 Мб | 2 048 Мб | 2 048 Мб | 1 024 Мб | |||
| Скорость записи | 3 300 Мб/с | 6 900 Мб/с | 7 000 Мб/с | 5 100 Мб/с | 6 800 Мб/с | 3 300 Мб/с | 490 Мб/с |
Отзывы о Samsung MZ-V7S2T0BW