SSD Итерфейс PCI-E

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 2600 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3900 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 3000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6300 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3600 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3900 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1145 Мб/с, скорость чтения: 1871 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4800 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3137 Мб/с, скорость чтения: 3476 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1720 Мб/с, скорость чтения: 2130 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 5.0 x2, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 7680 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, PCI-E 5.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2900 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5100 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2900 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2000 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1950 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2600 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe