Беларусь
Вход

Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Corsair Crucial Samsung Netac Team Group HP Apacer Synology Team GoodRAM KingSpec 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 381,44 – 1 850,86б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-32
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 336,40 – 2 189,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 722,12 – 3 675,20б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 630,73 – 3 700,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

854,80 – 1 051,55б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 945,00 – 2 363,10б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE Модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

788,60 – 944,77б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

3 815,16 – 5 542,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAE Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 379,60 – 9 847,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

10 622,30 – 12 718,15б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 131,10 – 3 105,25б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

3 916,00 – 4 723,88б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

902,00 – 1 325,78б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

2 018,87 – 3 245,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40-46-46
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

740,50 – 907,66б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M323R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 635,19 – 1 660,21б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 459,80 – 1 624,29б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

412,40 – 489,20б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

282,90 – 1 345,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393B5273CH0-CH9 Модуль памяти Samsung M393B5273CH0-CH9

Тип: DDR3 DIMM
Частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9-36
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Напряжение: 1.5 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

340,31б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2400 МГц, тайминги: 17-17-17-32
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 610,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1K43DB2-CTD Модуль памяти Samsung M378A1K43DB2-CTD

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

1 154,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G43AB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G43AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 564,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 540,40 – 3 108,99б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 016,85 – 2 528,46б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 764,00 – 1 786,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 778,00 – 1 780,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 439,38 – 1 650,05б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQKZJ Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQKZJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40-40-40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная

3 961,20 – 4 564,62б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R2GA3DB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R2GA3DB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

767,50 – 925,04б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 378,60 – 1 707,51б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVF Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVF

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M386AAG40MMB-CVF Модуль памяти Samsung M386AAG40MMB-CVF

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE

Тип: DDR4 LRDIMM
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVFBY Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVFBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

2 203,30б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R2GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M323R2GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Частота: 4800 МГц, тайминги: 19-23-23
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M471A1G44BB0-CWE Модуль памяти Samsung M471A1G44BB0-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

170,41 – 190,54б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

782,60б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

2 117,71 – 2 645,90б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

3 961,20 – 4 385,11б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 32Gb Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 32Gb

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

689,64б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWMJJ Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWMJJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

3 950,00 – 4 687,55б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 532,10 – 1 637,37б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

1 911,30 – 2 470,95б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

605,00 – 662,28б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

1 526,18 – 2 007,70б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBQ Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBQ

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

3 347,10 – 3 815,45б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEGY Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEGY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

1 285,30 – 1 592,59б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386AAG40BM3-CWE Модуль памяти Samsung M386AAG40BM3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

4 283,20 – 4 905,57б.р.
Сравнить все цены
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
P
Q
R
S
T
Г
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 6.00 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 15587.00 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: Patriot Memory PSD432G32002
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара