Беларусь
Вход

Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Crucial Corsair Samsung AMD Netac HP Synology KingSpec Silicon Power Apacer Qumo 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 982,00 – 3 648,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-32
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 878,30 – 2 297,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 138,00 – 3 862,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 376,60 – 4 005,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE Модуль памяти Samsung M378A4G43AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

965,50 – 2 192,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40-46-46
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

876,70 – 1 009,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 654,90 – 4 125,29б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQK Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

645,10 – 737,67б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 239,00 – 1 460,58б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAE Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

6 336,00 – 11 728,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

908,00 – 1 252,80б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M471A1K43EB1-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

233,30б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 521,00 – 1 522,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

17 642,90 – 20 403,92б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386AAG40MMB-CVF Модуль памяти Samsung M386AAG40MMB-CVF

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

7 780,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWE Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

653,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVFBY Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVFBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

3 589,90 – 3 712,30б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQKZJ Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQKZJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40-40-40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная

9 872,60 – 10 620,58б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 461,42 – 5 060,20б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 359,40 – 1 609,89б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

3 133,40б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

9 658,69 – 10 327,80б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R2GA3EB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R2GA3EB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

908,60 – 958,55б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE

Тип: DDR4 LRDIMM
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 628,80б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 11
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

290,90 – 311,21б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

645,10 – 715,01б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 471,30 – 1 622,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

1 033,90 – 2 518,20б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

2 113,31 – 2 460,09б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M435R1GB4PB1-CCP Модуль памяти Samsung M435R1GB4PB1-CCP

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

449,30 – 524,77б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4DB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R1GB4DB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

645,10 – 649,50б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 654,90 – 2 929,71б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CWMOD Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CWMOD

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

388,80 – 459,27б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R1GB4PB0-CWM0L Модуль памяти Samsung M425R1GB4PB0-CWM0L

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

649,50 – 684,29б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 259,50 – 4 345,03б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 688,60 – 5 026,17б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWMJJ Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWMJJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

10 255,70б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

10 359,40 – 10 390,56б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

273,60 – 290,90б.р.
Сравнить все цены
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
A
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 5.80 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 51588.00 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: Kingston FURY Beast RGB KF432C16BB2AK2/16
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара