Оперативная память HP

DDR4, 2933 МГц, DIMM, 1x64 Гб, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21, tRAS: 21

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 19

DDR3L, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.35 В, CL: 11

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR4, 2400 МГц, LRDIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 25600 Мб/с

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x16 Гб, 12800 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 11

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с, 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 10600 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 9

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 17000 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR3, 1866 МГц, DIMM 240-контактный, 1x16 Гб, 14900 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 13

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 39

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR2, DIMM 240-контактный, 1x1 Гб, буферизованная (Registered)

DDR, 200 МГц, DIMM 184-контактный, 4x2 Гб, 1600 Мб/с, буферизованная (Registered)

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x64 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21, tRAS: 21

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная (Registered), CL: 9

DDR4, 2666 МГц, DIMM Registered, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM Registered, количество модулей: 1, 21300 Мб/с

DDR4, 2400 МГц, DIMM Registered, количество модулей: 1, 19200 Мб/с

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR3, 1066 МГц, DIMM 240-контактный, 1x16 Гб, 8500 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 7

DDR3L, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x16 Гб, 10600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.35 В, CL: 9

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная (Registered), CL: 9

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 19

DDR3L, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.35 В, CL: 11

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 10600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.5 В, CL: 9, tRCD: 9, tRP: 9, tRAS: 24

DDR3, 1600 МГц, DIMM Registered, количество модулей: 1, 12800 Мб/с, 1.2 В