Беларусь
Вход

Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Crucial Corsair KingSpec Netac Samsung Synology HP Apacer Qumo AMD Micron 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-32
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 428,00 – 5 018,78б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 242,00 – 4 194,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 141,02 – 8 933,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 977,20 – 5 383,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

6 023,32 – 10 661,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

939,00 – 1 921,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 344,10 – 4 319,55б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

2 394,35 – 2 693,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2400 МГц, тайминги: 17-17-17-32
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 354,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

2 650,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE

Тип: DDR4 LRDIMM
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

10 998,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 784,00 – 1 794,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A1K43DB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A1K43DB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 294,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 106,18 – 1 811,11б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

216,33 – 275,29б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 4Gb (M393A2K40CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 4Gb (M393A2K40CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 96 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

17 009,97б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M333R1GB4PB1-CCPSG Модуль памяти Samsung M333R1GB4PB1-CCPSG

Тип: DDR5 CUDIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

417,67 – 565,63б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWE Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

221,00 – 261,63б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

11 475,67 – 12 966,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 011,00 – 1 086,16б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная

2 354,85 – 2 557,44б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

9 713,00 – 12 596,63б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

836,31 – 916,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

5 916,00 – 7 065,63б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQK Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

530,88 – 654,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWEQY Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWEQY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-46
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 925,89 – 3 191,20б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 868,17 – 2 049,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393B5773CH0-YH9 Модуль памяти Samsung M393B5773CH0-YH9

Тип: DDR3 DIMM
Объем: 2 Гб
Частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Напряжение: 1.35 В
Особенности: поддержка ECC

189,46 – 207,24б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWECO Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWECO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

836,31 – 916,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

505,89 – 600,03б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWED0 Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWED0

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

373,79б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0EB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R8GA0EB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

12 058,92 – 12 966,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 611,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

411,34б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40CM2-CTD Модуль памяти Samsung M386A8K40CM2-CTD

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

3 556,88б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 836,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAECO Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAECO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

5 856,15 – 6 218,71б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE Модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

874,11 – 947,49б.р.
Сравнить все цены
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
3
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
P
Q
S
T
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 20.00 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 28204.39 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: Kingston FURY Beast RGB KF432C16BB2AK2/16
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара