Беларусь
Вход

Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Corsair Crucial KingSpec Samsung GoodRAM HP Silicon Power Netac Apacer Synology Qumo 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 927,68 – 4 243,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-32
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 814,00 – 4 759,38б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 806,67 – 5 292,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

265,31 – 855,95б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 249,85 – 5 006,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 569,50 – 5 089,56б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R2GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40-46-46
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

905,20 – 1 572,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 525,65 – 1 699,97б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 776,21 – 5 166,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

2 485,15 – 2 580,81б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

8 943,74 – 10 126,81б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

13 764,03 – 15 937,27б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M471A1K43EB1-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

224,60б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 4Gb (M393A2K40CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 4Gb (M393A2K40CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

935,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

7 422,17 – 8 047,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE Модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

1 564,00 – 1 565,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A1K43BB1-CTD Модуль памяти Samsung M393A1K43BB1-CTD

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

517,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G43EB1-CPB Модуль памяти Samsung M378A1G43EB1-CPB

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2133 МГц, тайминги: 15-15-15-36
Пропускная способность: 17000 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

469,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

2 252,00 – 2 255,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 530,00 – 1 531,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2400 МГц, тайминги: 17-17-17-32
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 217,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A2K43DB1-CWE Модуль памяти Samsung M471A2K43DB1-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

1 150,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

471,24б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 327,88 – 5 859,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVFBY Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVFBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M324R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M324R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

6 890,00 – 6 908,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 11
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

258,30 – 289,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 305,69 – 5 015,32б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4DB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R1GB4DB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

517,01 – 581,04б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная

2 263,78 – 2 451,34б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

7 780,84 – 9 509,18б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M333R1GB4PB1-CCPSG Модуль памяти Samsung M333R1GB4PB1-CCPSG

Тип: DDR5 CUDIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

438,21б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 431,64 – 5 016,49б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40CM2-CTD Модуль памяти Samsung M386A8K40CM2-CTD

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

3 686,55б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 96 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

20 286,14б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 979,00 – 5 625,40б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44BB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44BB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

259,81 – 275,30б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 454,32 – 6 103,89б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

8 863,50 – 10 033,14б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R2GA3EB0-CWMOD Модуль памяти Samsung M323R2GA3EB0-CWMOD

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

840,16 – 1 218,38б.р.
Сравнить все цены
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
P
Q
S
T
Г
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 15.17 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 20286.14 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: Kingston FURY Beast KF556C36BBEK2-32
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара