Беларусь
Вход

Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Crucial Corsair KingSpec Netac Samsung Synology HP Apacer Qumo AMD GoodRAM 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 154,88 – 4 245,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-32
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 437,00 – 5 330,33б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 131,85 – 8 716,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40BB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 492,60 – 5 383,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K43DB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

848,60 – 1 923,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

5 689,93 – 10 872,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE Модуль памяти Samsung M393A8G40CB4-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 381,95 – 4 328,15б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

6 478,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC Модуль памяти Samsung M393A4K40BB1-CRC

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2400 МГц, тайминги: 17-17-17-32
Пропускная способность: 19200 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 376,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE Модуль памяти Samsung M386AAG40AM3-CWE

Тип: DDR4 LRDIMM
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

11 214,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CWM

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

2 703,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

2 780,44б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 16Gb (M393A2K43CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 814,00 – 1 815,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A1K43DB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A1K43DB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 312,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R4GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 574,05 – 1 833,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 4Gb (M393A2K40CB2-CTD) Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 4Gb (M393A2K40CB2-CTD)

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

291,00 – 384,82б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 96 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

17 039,24б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M333R1GB4PB1-CCPSG Модуль памяти Samsung M333R1GB4PB1-CCPSG

Тип: DDR5 CUDIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

418,38 – 565,63б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

10 761,90 – 12 227,28б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R2GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

2 015,00 – 3 950,59б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 11
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

284,07 – 391,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K40EB3-CWE

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

839,19 – 944,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWEQY Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWEQY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-46
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 930,92 – 3 196,69б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQK Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

526,32 – 671,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

5 932,00 – 7 073,28б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

505,88 – 717,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWECO Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWECO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

839,19 – 944,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2G43AB3-CWE Модуль памяти Samsung M378A2G43AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-52
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

523,19 – 611,06б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393B5773CH0-YH9 Модуль памяти Samsung M393B5773CH0-YH9

Тип: DDR3 DIMM
Объем: 2 Гб
Частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Напряжение: 1.35 В
Особенности: поддержка ECC

187,87 – 207,53б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0EB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R8GA0EB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

12 059,01 – 12 790,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVF Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVF

Тип: DDR4 LRDIMM
Частота: 2933 МГц
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 382,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 557,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40CM2-CTD Модуль памяти Samsung M386A8K40CM2-CTD

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

3 556,85б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWED0 Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWED0

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

383,56б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVFCO Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVFCO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 798,40б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE Модуль памяти Samsung M471A2G43CB2-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

875,62 – 948,75б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

9 407,41 – 12 293,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

3 755,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK Модуль памяти Samsung M425R1GB4BB0-CQK

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

411,34б.р.
Сравнить все цены
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
3
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
P
Q
S
T
Г
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 21.00 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 28204.39 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: G.SKILL F4-3200C16D-32GTZ
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара