Беларусь
Вход

Страница 2 - Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Crucial Corsair Samsung AMD Netac HP Synology KingSpec Silicon Power Apacer Qumo 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

4 076,00 – 4 600,70б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Тип: DDR3 SODIMM
Частота: 1600 МГц, тайминги: 11-11-11
Пропускная способность: 12800 Мб/с

34,80б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 394,90 – 5 084,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE Модуль памяти Samsung M471A2G43AB2-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

503,20 – 586,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393B5773CH0-YH9 Модуль памяти Samsung M393B5773CH0-YH9

Тип: DDR3 DIMM
Объем: 2 Гб
Частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Напряжение: 1.35 В
Особенности: поддержка ECC

173,00 – 188,40б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2K43DB1-CTDD0 Модуль памяти Samsung M378A2K43DB1-CTDD0

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

480,70б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A2K40DB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-46
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 385,30 – 1 394,90б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEC0 Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEC0

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная

4 935,80 – 5 467,22б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWECO Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWECO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

1 033,90 – 1 191,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2G43AB3-CWE Модуль памяти Samsung M378A2G43AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-52
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

613,13б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

2 092,90 – 2 508,35б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R4GA3DB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R4GA3DB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 778,40 – 2 150,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWEQY Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWEQY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-46
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 621,40 – 1 869,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 235,30 – 5 160,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBQ Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBQ

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

4 277,50 – 5 313,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M378A2K43EB1-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

582,50 – 617,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

746,80 – 928,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G40BB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная

1 840,30 – 2 183,12б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAECO Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAECO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

8 200,88 – 9 230,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 277,50 – 5 313,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R8GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

10 598,40 – 11 965,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321RYGA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 96 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

13 615,50 – 18 229,22б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 SO-DIMM 8Gb Модуль памяти Samsung DDR4 2666 SO-DIMM 8Gb

Тип: DDR4 SODIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

232,53 – 241,20б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M386AAG40BM3-CWE Модуль памяти Samsung M386AAG40BM3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

8 940,70 – 11 874,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44AB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

284,20 – 291,90б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1G44AB0-CWE Модуль памяти Samsung M471A1G44AB0-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

290,90 – 292,90б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWED0 Модуль памяти Samsung M378A1K43EB2-CWED0

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

317,60 – 382,50б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB2-CVFBY Модуль памяти Samsung M393A4K40DB2-CVFBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 653,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R2GA3BB0-CQK Модуль памяти Samsung M323R2GA3BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Частота: 4800 МГц, тайминги: 19-23-23
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVF Модуль памяти Samsung M393A8G40MB2-CVF

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A4G40AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 8Gb Модуль памяти Samsung DDR4 2666 Registered ECC DIMM 8Gb

Тип: DDR4 DIMM
Частота: 2666 МГц, тайминги: 19-19-19
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M471A2K43EB1-CWE Модуль памяти Samsung M471A2K43EB1-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

нет в продаже
Модуль памяти Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb Модуль памяти Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb

Тип: DDR4 SODIMM
Частота: 2133 МГц, тайминги: 15-15-15
Пропускная способность: 17000 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

нет в продаже
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
A
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 5.80 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 52468.00 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: Kingston FURY Beast RGB KF432C16BB2AK2/16
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара