Беларусь
Вход

Страница 2 - Оперативная память Samsung

Kingston G.SKILL Patriot ADATA Crucial Corsair KingSpec Netac Samsung Synology HP Apacer Qumo AMD Micron 8 Гб двумя модулями 16 Гб двумя модулями 32 Гб двумя модулями Для ноутбуков Для серверов Низкопрофильные модели С системой охлаждения ddr5 6000 МГц
Сортировать по
Вид
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEC0 Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2-CWEC0

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная

8 837,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK Модуль памяти Samsung M321RAGA0B20-CWK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

19 837,82 – 22 031,49б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M471A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 11
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

283,58 – 380,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4DB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R1GB4DB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

578,00 – 720,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0EB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R8GA0EB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

11 907,23 – 17 277,94б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWE Модуль памяти Samsung M391A4G43BB1-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-46
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

2 850,00 – 3 113,37б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44CB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44CB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

309,69 – 384,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A2G43AB3-CWE Модуль памяти Samsung M378A2G43AB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-52
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

527,94 – 610,03б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M435R1GB4PB1-CCP Модуль памяти Samsung M435R1GB4PB1-CCP

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

514,00 – 520,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL Модуль памяти Samsung M323R1GB4BB0-CQKOL

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

591,95 – 674,36б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R1GB4PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

561,97 – 717,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

4 697,00 – 4 782,16б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R4GA3DB0-CWM Модуль памяти Samsung M323R4GA3DB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

2 643,81 – 2 795,66б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M378A1G44BB0-CWE Модуль памяти Samsung M378A1G44BB0-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

241,10б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R2GA3EB0-CWMOL Модуль памяти Samsung M323R2GA3EB0-CWMOL

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

912,44б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

6 770,00 – 7 632,48б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWMJJ Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB0-CWMJJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

14 288,00 – 16 998,90б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA3EB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

6 902,89 – 7 632,48б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

6 468,00 – 6 938,60б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEGY Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEGY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

4 558,65 – 4 732,42б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWE Модуль памяти Samsung M393A2K43EB3-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

1 125,46б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAE Модуль памяти Samsung M393AAG40M32-CAE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

7 810,64б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ Модуль памяти Samsung M321R4GA3PB0-CWMXJ

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

7 055,00 – 8 504,99б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A1K43FB2-CWE Модуль памяти Samsung M393A1K43FB2-CWE

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

469,09 – 519,49б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M323R2GA3EB0-CWMOD Модуль памяти Samsung M323R2GA3EB0-CWMOD

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

1 189,00 – 1 579,37б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP Модуль памяти Samsung M321R8GA0PB2-CCP

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 6400 МГц
Пропускная способность: 51200 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M321R4GA0PB0-CWM Модуль памяти Samsung M321R4GA0PB0-CWM

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В
Особенности: поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVFCO Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVFCO

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 2933 МГц
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVF Модуль памяти Samsung M386A8K40DM2-CVF

Тип: DDR4 LRDIMM
Частота: 2933 МГц
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

нет в продаже
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
3
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
P
Q
S
T
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота, МГц
Пропускная способность, Мб/с
CL
Напряжение питания, В
Магазины
все параметры подбора

✅ Самая дешевая модуль памяти: 20.00 BYN
⭐ Самая дорогая модуль памяти: 28204.39 BYN
✅ Самая популярная модуль памяти: Kingston FURY Beast RGB KF432C16BB2AK2/16
⭐ Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
выберите минимум 2 товара