Страница 2 - Оперативная память Samsung

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 21

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с, 1.2 В, CL: 21

DDR5, 4800 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 38400 Мб/с, 1.1 В, CL: 40

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, CL: 11

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В

DDR5, 5600 МГц, SODIMM, количество модулей: 1, 44800 Мб/с, 1.1 В

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 21

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21, tRAS: 21

DDR5, 5600 МГц, DIMM, количество модулей: 1, 44800 Мб/с, 1.1 В

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR5, 4800 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 38400 Мб/с, 1.1 В, CL: 40

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x64 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 46

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 46

DDR5, 5600 МГц, SODIMM, 2x8 Гб, 38400 Мб/с, 1.1 В