Страница 2 - Оперативная память Samsung

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21-21-21-21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 4 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 19
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

Тип: DDR4 SODIMM
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 21
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 64 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 5600 МГц
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 128 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

Тип: DDR3 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 1866 МГц
Пропускная способность: 14900 Мб/с
Напряжение: 1.5 В
Особенности: поддержка ECC

Тип: DDR3 DIMM
Объем: 2 Гб
Частота: 1333 МГц, тайминги: 9-9-9
Пропускная способность: 10600 Мб/с
Напряжение: 1.35 В
Особенности: поддержка ECC

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 5600 МГц, тайминги: 40-40-40
Пропускная способность: 44800 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 32 Гб
Частота: 2933 МГц, тайминги: 21-21-21-21
Пропускная способность: 23400 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: буферизированная, поддержка ECC

Тип: DDR4 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В
Особенности: поддержка ECC

Тип: DDR4 SODIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22
Пропускная способность: 25600 Мб/с
Напряжение: 1.2 В

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 16 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

Тип: DDR5 DIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В

Тип: DDR5 SODIMM
Объем: 8 Гб
Частота: 4800 МГц, тайминги: 40
Пропускная способность: 38400 Мб/с
Напряжение: 1.1 В