Оперативная память Silicon Power

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 38

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3600 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 42

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, CL: 16

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 38

DDR4, 3600 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 42

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 28800 Мб/с, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 2x16 Гб, 25600 Мб/с, CL: 16

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 38

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11

DDR3, 1600 МГц, SODIMM, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11