Твердотельные накопители (SSD) Silicon Power

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2400 Мб/с, скорость чтения: 3600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1024 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 960 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 450 Мб/с, скорость чтения: 460 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 450 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб (буфер: 256 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 450 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 128 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 360 Мб/с, скорость чтения: 460 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6500 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1000 Гб (буфер: 64 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC, скорость записи: 490 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 512 Гб (буфер: 128 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 250 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 240 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 120 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 420 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 240 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 128 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 420 Мб/с, скорость чтения: 550 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 512 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 490 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 490 Мб/с, скорость чтения: 500 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 128 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM

объем 2048 Гб, форм-фактор: 2.5'', скорость записи: 530 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, SATA 6Gb/s, TRIM