SSD Samsung MZ-V7E500BW

Samsung MZ-V7E500BW

Samsung MZ-V7E500BW нет в продаже

Сообщить о появлении в продаже

Смотреть другие твердотельные накопители (ssd) Samsung или все твердотельные накопители (ssd)

Форм-фактор: M.2 2280
Память: TLC 3D NAND, 500 Гб, буфер - 512 Мб
Скорость записи: 2300 Мб/с
Скорость чтения: 3400 Мб/с
Интерфейсы: PCI-E 3.0 x4, NVMe 1.3

Общие характеристики

Тип флэш-памяти TLC 3D NAND
Контроллер Samsung Phoenix
Форм-фактор M.2
Объем 500 Гб
Объем буфера 512 Мб
Кэш DRAM-буфер
Скорость записи 2 300 Мб/с
Скорость чтения 3 400 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) 450 000 IOPS
Скорость случайного чтения 370 000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 300 Тб
Поддержка NCQ -
Время наработки на отказ 1 500 000 ч
Охлаждение -
Год выхода на рынок 2018 г.
Интерфейсы
PCI-E +
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
M.2 +
Размеры M.2 2 280
NVMe +
Версия NVMe 1.3
Дополнительные характеристики
Шифрование данных +
Потребляемая мощность 5.7 Вт
Потребляемая мощность (чтение/запись) 5.8 Вт
Потребляемая мощность (ожидание) 0.03 Вт
Габариты
Высота 2.38 мм
Длина 80 мм
Ширина 22 мм
Вес 8 г

Описания товаров составлены на основе сайтов производителей и других открытых источников. Комплект поставки, характеристики и внешний вид могут быть изменены производителем Samsung без предварительного уведомления. Уточняйте значимые для Вас характеристики у продавца.

Фото
Samsung MZ-V7E500BW Samsung MZ-V7E500BW Samsung MZ-V7E500BW Samsung MZ-V7E500BW
Фотографии Samsung MZ-V7E500BW
  • Фотографии Samsung MZ-V7E500BW
  • Фотографии Samsung MZ-V7E500BW
  • Фотографии Samsung MZ-V7E500BW
  • Фотографии Samsung MZ-V7E500BW

Отзывы о Samsung MZ-V7E500BW

Написать отзыв первым

Сравнивают с Samsung MZ-V7E500BW

Полное сравнение
Samsung MZ-V7E500BW
Samsung MZ-V7E500BW
Samsung 980 500 GB MZ-V8V500BW
Samsung 980 500 GB MZ-V8V500BW
ADATA XPG SX8200 Pro 512GB
ADATA XPG SX8200 Pro 512GB
Samsung MZ-V7S250BW
Samsung MZ-V7S250BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Silicon Power P34A80 512GB SP512GBP34A80M28
Silicon Power P34A80 512GB SP512GBP34A80M28
Samsung MZ-76E250BW
Samsung MZ-76E250BW
Цена от 550,00 б.р. от 309,00 б.р. от 403,22 б.р. от 634,00 б.р. от 665,95 б.р.
Тип флэш-памяти TLC 3D NAND V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND TLC 3D NAND TLC 3D NAND TLC 3D NAND TLC 3D NAND
Форм-фактор M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 2.5''
Объем 500 Гб 500 Гб 512 Гб 250 Гб 1 000 Гб 512 Гб 250 Гб
Объем буфера 512 Мб 512 Мб 1 024 Мб 512 Мб
Скорость записи 2 300 Мб/с 2 600 Мб/с 2 300 Мб/с 2 300 Мб/с 3 300 Мб/с 3 000 Мб/с 520 Мб/с
выберите минимум 2 товара