Оперативная память

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 16

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 2x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 2666 МГц, DIMM, объем одного модуля: 16 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 2, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 36

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 2x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 36

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15, tRAS: 35

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19