Страница 23 - Оперативная память

DDR5, 5200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 41600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В, CL: 42

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x4 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR5, 6800 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 54400 Мб/с, 1.4 В, CL: 34, tRCD: 45, tRP: 45

DDR5, 5600 МГц, DIMM, 1x96 Гб, 44800 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В, CL: 46, tRCD: 45, tRP: 45

DDR5, 5600 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 44800 Мб/с, 1.1 В, CL: 46, tRCD: 46, tRP: 46, tRAS: 90

DDR5, 6000 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 48000 Мб/с, 1.25 В, CL: 36, tRCD: 48, tRP: 48, tRAS: 96

DDR4, 5200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 41600 Мб/с, 1.1 В, CL: 42

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 20, tRP: 20

DDR5, 6600 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 52800 Мб/с, 1.4 В, CL: 34, tRCD: 40, tRP: 40, tRAS: 105

DDR5, 6800 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 54400 Мб/с, 1.4 В, CL: 34, tRCD: 45, tRP: 45

DDR, 200 МГц, DIMM 184-контактный, 4x2 Гб, 1600 Мб/с, буферизованная (Registered)

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, буферизованная (Registered), CL: 9

DDR3, 1066 МГц, DIMM 240-контактный, 1x16 Гб, 8500 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 7

DDR3L, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x2 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 28

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 28

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, CL: 19

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, 2x8 Гб, 28800 Мб/с, CL: 19

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 36

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 36

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, CL: 16

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 2x16 Гб, 25600 Мб/с, CL: 16

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 22

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 16

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11, tRCD: 9, tRP: 9

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 36

DDR3L, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, количество модулей: 1, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 27

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 39

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16, tRAS: 36

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 20, tRP: 20

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR3, 1600 МГц, SODIMM, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 35

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19