SSD Итерфейс PCI-E

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 6200 Мб/с, скорость чтения: 7200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 950 Мб/с, скорость чтения: 1850 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1700 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1300 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1920 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 780 Мб/с, скорость чтения: 3140 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3100 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1025 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 9500 Мб/с, скорость чтения: 13000 Мб/с, PCI-E 5.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб (буфер: 4096 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 12700 Мб/с, скорость чтения: 14500 Мб/с, PCI-E 5.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: 2.5'', флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: PCl Express Card, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3480 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1024 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4500 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6700 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 9500 Мб/с, скорость чтения: 11700 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 11000 Мб/с, скорость чтения: 14000 Мб/с, PCI-E 5.0 x4

объем 500 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5650 Мб/с, скорость чтения: 7500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 6200 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5300 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5700 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 4000 Мб/с, скорость чтения: 4500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4300 Мб/с, скорость чтения: 6400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7100 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 1100 Мб/с, PCI-E 3.0 x2, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6600 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4200 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3900 Мб/с, скорость чтения: 5200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2200 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 5000 Мб/с, скорость чтения: 6000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1700 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1900 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1217 Мб/с, скорость чтения: 1936 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2800 Мб/с, скорость чтения: 4900 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe