Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора M.2

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 4200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1000 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1024 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1024 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 4500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2950 Мб/с, скорость чтения: 4125 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6500 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость чтения: 545 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4500 Мб/с, скорость чтения: 4850 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5500 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1500 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 600 Мб/с, скорость чтения: 1200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 1650 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 520 Мб/с, скорость чтения: 560 Мб/с, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 9500 Мб/с, скорость чтения: 11700 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: MLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe