Твердотельные накопители (SSD) форм-фактора M.2

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1240 Мб/с, скорость чтения: 3230 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6750 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5300 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 4600 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1600 Мб/с, скорость чтения: 2000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 10000 Мб/с, скорость чтения: 10000 Мб/с, PCI-E 5.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 3300 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2600 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 410 Мб/с, скорость чтения: 540 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2950 Мб/с, скорость чтения: 3700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 4100 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2900 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 240 Гб (буфер: 256 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 290 Мб/с, скорость чтения: 2200 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 480 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 410 Мб/с, скорость чтения: 540 Мб/с, SATA 6Gb/s

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2500 Мб/с, скорость чтения: 7100 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 4300 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 6400 Мб/с, скорость чтения: 7200 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 5680 Мб/с, скорость чтения: 6290 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4400 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 3500 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 1800 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1900 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1100 Мб/с, скорость чтения: 1700 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1400 Мб/с, скорость чтения: 2100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3200 Мб/с, скорость чтения: 3800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2048 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1900 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2350 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2450 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1150 Мб/с, скорость чтения: 3350 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 5500 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 128 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4