Модуль памяти PNY MD4GSD42666
Похожие товары
Полное сравнение
PNY MD4GSD42666 нет в продаже
Смотреть другие оперативная память PNY или все оперативная память
DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19
Общие характеристики
Тип | DDR4 |
---|---|
Форм-фактор | DIMM |
Объем одного модуля | 4 Гб |
Количество модулей | 1 |
Тактовая частота | 2 666 МГц |
Пропускная способность | 21 300 Мб/с |
Поддержка ECC | |
Буферизованная (Registered) | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Радиатор | |
Поддержка XMP |
Тайминги
CL | 19 |
---|
Дополнительная информация
Напряжение питания | 1.2 В |
---|
Фото
Фотографии PNY MD4GSD42666
Отзывы о PNY MD4GSD42666