Страница 2 - Оперативная память

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, 2x8 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 42

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 17

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 32

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 2x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 42

DDR5, 5200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 41600 Мб/с, 1.25 В, CL: 40, tRCD: 40, tRP: 40, tRAS: 40

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x128 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 22

DDR5, 5600 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 44800 Мб/с, 1.25 В, CL: 40, tRCD: 40, tRP: 40, tRAS: 40

DDR5, 5600 МГц, DIMM, 2x32 Гб, 48000 Мб/с, 1.25 В, CL: 36, tRCD: 36, tRP: 36

DDR5, 6800 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 54400 Мб/с, 1.4 В, CL: 32, tRCD: 39, tRP: 39

DDR5, 4800 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 38400 Мб/с, 1.1 В, CL: 40, tRCD: 40, tRP: 40, tRAS: 77

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 3000 МГц, DIMM 288-контактный, 2x16 Гб, 24000 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 38

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, 2x32 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 20, tRP: 20, tRAS: 40

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, количество модулей: 1, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 30

DDR3L, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, количество модулей: 1, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 30

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 2, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 20, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 26400 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 3600 МГц, DIMM, 2x32 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 42

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 52

DDR4, 3600 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 28800 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR5, 5200 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 41600 Мб/с, 1.1 В, CL: 42, tRCD: 42, tRP: 42, tRAS: 84

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x32 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15, tRAS: 35

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 52

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 42

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 32

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x64 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.6 В, CL: 11

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 3000 МГц, DIMM 288-контактный, 2x4 Гб, 24000 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18, tRAS: 36

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 52

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 32

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 2, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 20, tRP: 20

DDR4, 3600 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 28800 Мб/с, 1.2 В, CL: 19