Модуль памяти Sun Microsystems SE6X2B11Z
Похожие товары
Полное сравнение
Sun Microsystems SE6X2B11Z нет в продаже
Смотреть другие оперативная память Sun Microsystems или все оперативная память
DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 2x4 Гб, 10600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.35 В, CL: 9
Общие характеристики
Тип | DDR3 |
---|---|
Форм-фактор | DIMM |
Объем одного модуля | 4 Гб |
Количество модулей | 2 |
Количество контактов | 240 |
Количество рангов | 2 |
Тактовая частота | 1 333 МГц |
Пропускная способность | 10 600 Мб/с |
Поддержка ECC | |
Буферизованная (Registered) | |
Низкопрофильная (Low Profile) | |
Радиатор | |
Поддержка XMP | |
Игровая |
Тайминги
CL | 9 |
---|
Дополнительная информация
Напряжение питания | 1.35 В |
---|
Фотографии Sun Microsystems SE6X2B11Z
Отзывы о Sun Microsystems SE6X2B11Z