Модуль памяти PNY MN4GSD42666
Похожие товары
Полное сравнение
PNY MN4GSD42666 нет в продаже
Смотреть другие оперативная память PNY или все оперативная память
DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 40
Общие характеристики
| Тип | DDR4 |
|---|---|
| Форм-фактор | SODIMM |
| Объем одного модуля | 4 Гб |
| Количество модулей | 1 |
| Количество контактов | 260 |
| Количество рангов | 2 |
| Тактовая частота | 2 666 МГц |
| Пропускная способность | 21 300 Мб/с |
| Поддержка ECC | |
| Низкопрофильная (Low Profile) | |
| Радиатор |
Тайминги
| CL | 19 |
|---|---|
| tRCD | 19 |
| tRP | 19 |
| tRAS | 40 |
Дополнительная информация
| Напряжение питания | 1.2 В |
|---|
| Количество | 4 |
|---|
Фото
Фотографии PNY MN4GSD42666
Сопутствующие товары
Отзывы о PNY MN4GSD42666