SSD диск GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD

GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD нет в продаже

Сообщить о появлении в продаже

Смотреть другие твердотельные накопители (ssd) GigaByte или все твердотельные накопители (ssd)

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 2500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

Общие характеристики

Тип флэш-памяти TLC 3D NAND
Контроллер Phison PS5008-E8
Форм-фактор M.2
Объем 1 000 Гб
Скорость записи 2 100 Мб/с
Скорость чтения 2 500 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) 430 000 IOPS
Скорость случайного чтения 295 000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW) 1 600 Тб
Время наработки на отказ 1 500 000 ч
Охлаждение -
Год выхода на рынок 2019 г.
Интерфейсы
PCI-E +
Тип PCI-E PCI-E 3.0 x4
M.2 +
Размеры M.2 2 280
NVMe +
Дополнительные характеристики
Потребляемая мощность 2.2 Вт
Потребляемая мощность (чтение/запись) 3.5 Вт
Потребляемая мощность (ожидание) 0.0021 Вт
Габариты
Высота 2.3 мм
Длина 80 мм
Ширина 2.3 мм

Все описания товаров базируются на основе информации сайтов производителей и открытых источников. Комплект поставки, характеристики и внешний вид могут быть изменены производителем GigaByte без предварительного уведомления. При покупке GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD уточняйте все значимые для Вас параметры, комплектацию, внешний вид и срок гарантии у продавца. Все цены на GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD устанавливают интернет-магазины, размещенные на "Первом Каталоге".

По вопросам приобретения твердотельного накопителя (ssd) обращайтесь напрямую к интернет-магазинам, цена действительна только при ссылке на 1k.by. Если цена на GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD не указана, то в данный момент товара нет в наличии.

Все опубликованные материалы являются собственностью сайта 1k.by и предназначены для личного использования, любое копирование информации запрещено.

Фотографии GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
  • Фотографии GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
  • Фотографии GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
  • Фотографии GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
  • Фотографии GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD

Отзывы о GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD

Написать отзыв первым

Сравнивают с GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD

Полное сравнение
GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
GIGABYTE GP-GSM2NE3100TNTD
Samsung 980 1000 GB MZ-V8V1T0BW
Samsung 980 1000 GB MZ-V8V1T0BW
ADATA XPG SX8200 Pro 1TB
ADATA XPG SX8200 Pro 1TB
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung 980 500 GB MZ-V8V500BW
Samsung 980 500 GB MZ-V8V500BW
GoodRAM SSDPR-PX500-01T-80
GoodRAM SSDPR-PX500-01T-80
Samsung MZ-V7P1T0BW
Samsung MZ-V7P1T0BW
Цена от 325,00 б.р. от 272,99 б.р. от 355,32 б.р. от 206,26 б.р. от 226,73 б.р. от 2 118,00 б.р.
Тип флэш-памяти TLC 3D NAND V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND TLC 3D NAND V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND MLC 3D NAND
Форм-фактор M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2 M.2
Объем 1 000 Гб 1 000 Гб 1 000 Гб 1 000 Гб 500 Гб 1 000 Гб 1 000 Гб
Скорость записи 2 100 Мб/с 3 000 Мб/с 2 800 Мб/с 3 300 Мб/с 2 600 Мб/с 1 650 Мб/с 2 700 Мб/с
Скорость чтения 2 500 Мб/с 3 500 Мб/с 3 350 Мб/с 3 500 Мб/с 3 100 Мб/с 2 050 Мб/с 3 500 Мб/с
1K.BY использует cookies для удобства пользователей. Вы можете запретить сохранение cookies в настройках своего браузера.
Ознакомьтесь с Пользовательским соглашением и условием обработки персональных данных.
выберите минимум 2 товара