Модуль памяти PNY MN16GSD42666
Похожие товары
Полное сравнение
PNY MN16GSD42666 нет в продаже
Смотреть другие оперативная память PNY или все оперативная память
DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19
Общие характеристики
| Тип | DDR4 |
|---|---|
| Форм-фактор | SODIMM |
| Объем одного модуля | 16 Гб |
| Количество модулей | 1 |
| Количество рангов | 2 |
| Тактовая частота | 2 666 МГц |
| Пропускная способность | 21 300 Мб/с |
| Поддержка ECC | |
| Буферизованная (Registered) | |
| Низкопрофильная (Low Profile) | |
| Радиатор | |
| Поддержка XMP |
Тайминги
| CL | 19 |
|---|
Дополнительная информация
| Напряжение питания | 1.2 В |
|---|
Фото
Фотографии PNY MN16GSD42666
Сопутствующие товары
Отзывы о PNY MN16GSD42666