Оперативная память

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 2x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 18, tRAS: 18

DDR4, 2666 МГц, DIMM, объем одного модуля: 8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 40

DDR4, 2133 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 15

DDR4, 2133 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 17000 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 15

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 2x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2400 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x64 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 16, tRCD: 16, tRP: 16

DDR4, 2666 МГц, DIMM, объем одного модуля: 16 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43