Оперативная память

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2133 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 15

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x64 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В

DDR4, 2666 МГц, SODIMM, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15, tRAS: 36

DDR4, 2666 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x2 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 11

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 17000 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 16

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 4x8 Гб, 19200 Мб/с, CL: 16

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 2x16 Гб, 17000 Мб/с, 1.2 В, CL: 14, tRCD: 14, tRP: 14, tRAS: 32

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), CL: 19

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19