Оперативная память GoodRAM

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 2x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 20, tRP: 20

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.35 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 18, tRP: 18

DDR4, 3600 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 28800 Мб/с, 1.35 В, CL: 18, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 2x8 Гб, 25600 Мб/с, 1.35 В, CL: 16, tRCD: 20, tRP: 20

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 10600 Мб/с, 1.5 В, CL: 9

DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 28

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, CL: 11

DDR3L, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11

DDR3L, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11

DDR3L, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x2 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, 10600 Мб/с, 1.5 В, CL: 9

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2400 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В, CL: 17

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19