Оперативная память для серверов

Сортировать по
Вид
Samsung M425R4GA3BB0-CQK Samsung M425R4GA3BB0-CQK

DDR5, 4800 МГц, SODIMM, 1x32 Гб, 38400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В, CL: 40

466,61 – 508,92б.р.
Сравнить все цены
HP 202173-B21 HP 202173-B21

DDR, 200 МГц, DIMM 184-контактный, 4x2 Гб, 1600 Мб/с, буферизованная (Registered)

286,58 – 323,07б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Hynix MEM-DR480L-HL01-EU24 Hynix MEM-DR480L-HL01-EU24

DDR4, 2400 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 17, tRCD: 17, tRP: 17, tRAS: 32

356,63 – 462,78б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A2K43FB3-CWE Samsung M393A2K43FB3-CWE

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

249,83 – 277,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA0BB0-CQK Samsung M321R4GA0BB0-CQK

DDR5, 4800 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 38400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В, CL: 40

550,90 – 620,09б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2J3 Micron MTA18ASF2G72PZ-3G2J3

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 22

318,20 – 427,84б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Nanya NT8GA72D89FX3K-JR Nanya NT8GA72D89FX3K-JR

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x8 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

172,94 – 187,23б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Lenovo 4ZC7A08709 Lenovo 4ZC7A08709

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

1 500,98 – 1 599,53б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти HUAWEI 06200244 HUAWEI 06200244

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

121,40 – 153,00б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M321R4GA3BB6-CQK Samsung M321R4GA3BB6-CQK

DDR5, 4800 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 38400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В

597,13 – 644,39б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Nanya NT16GA72D8PFX3K-JR Nanya NT16GA72D8PFX3K-JR

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

281,70 – 309,62б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти HP 500658-B21 HP 500658-B21

DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-контактный, 1x4 Гб, буферизованная (Registered), CL: 9

197,70 – 213,36б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Lenovo 4X77A08634 Lenovo 4X77A08634

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 26400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

724,39 – 796,40б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти HP 726719-B21 HP 726719-B21

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x16 Гб, 17000 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 15, tRCD: 15, tRP: 15

300,20 – 373,61б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти QNAP RAM-8GDR4ECT0-RD-2400 QNAP RAM-8GDR4ECT0-RD-2400

DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered)

1 794,65 – 1 895,08б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Huawei 06200241 Huawei 06200241

DDR4, 2666 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19

2 349,36 – 2 679,64б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40DB3-CWE Samsung M393A4K40DB3-CWE

DDR4, 3200 МГц, DIMM 288-контактный, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

440,13 – 566,52б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M324R4GA3BB0-CQK Samsung M324R4GA3BB0-CQK

DDR5, 4800 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 38400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В

571,03 – 681,92б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Crucial CT8G4RFD8213 Crucial CT8G4RFD8213

DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-контактный, 1x8 Гб, 17000 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 15

114,84б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Supermicro MEM-DR464L-HL02-ER29 Supermicro MEM-DR464L-HL02-ER29

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21, tRAS: 21

880,16б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти DELL 64GB DDR4 2666MHz DIMM 288pin CL19 N65T7 DELL 64GB DDR4 2666MHz DIMM 288pin CL19 N65T7

DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 19

149,96б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти HUAWEI 06200286 HUAWEI 06200286

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

1 051,84б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Huawei 06200213 Huawei 06200213

DDR4, 2400 МГц, DIMM, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В

1 446,45 – 1 469,44б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти Samsung M393A4K40EB3-CWEBY Samsung M393A4K40EB3-CWEBY

DDR4, 3200 МГц, DIMM, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 22

500,90б.р.
Сравнить все цены
Модуль памяти HP P00922-B21 HP P00922-B21

DDR4, 2933 МГц, DIMM 288-контактный, количество модулей: 1, 23400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.2 В, CL: 21, tRCD: 21, tRP: 21

611,57 – 1 631,63б.р.
Сравнить все цены
Поиск по названию
Цена (б.р.)
Показывать товары
Производители
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
Т
Тип
Форм-фактор
Объем одного модуля
Количество модулей
Тактовая частота
Пропускная способность, Мб/с
CL
Поддержка ECC
Буферизованная (Registered)
Низкопрофильная (Low Profile)
Радиатор
Напряжение питания, В
Магазины

Самая дешевая модуль памяти: 18.50 BYN
Самая дорогая модуль памяти: 6950.19 BYN
Самая популярная модуль памяти: Kingston FURY Beast 8GB 3200MHz CL16 KF432C16BB/8
Популярный бренд категории оперативная память: Kingston
1K.BY использует cookies для удобства пользователей. Вы можете запретить сохранение cookies в настройках своего браузера.
Ознакомьтесь с Пользовательским соглашением и условием обработки персональных данных.
выберите минимум 2 товара