Оперативная память для ноутбуков

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x4 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x32 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 16

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22

DDR5, 5600 МГц, SODIMM, 2x16 Гб, 44800 Мб/с, 1.25 В, CL: 30, tRCD: 36, tRP: 36, tRAS: 76

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR3L, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 28

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 52

DDR5, 4800 МГц, SODIMM, 1x32 Гб, 38400 Мб/с, буферизованная (Registered), 1.1 В, CL: 40

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19

DDR3L, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x8 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19, tRCD: 19, tRP: 19, tRAS: 43

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, количество модулей: 1, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR4, 3200 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22, tRCD: 22, tRP: 22, tRAS: 52

DDR4, 3200 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 25600 Мб/с, 1.2 В, CL: 22

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В

DDR5, 4800 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 38400 Мб/с, 1.1 В, CL: 40

DDR4, 2400 МГц, SODIMM, 1x16 Гб, 19200 Мб/с, 1.2 В

DDR3, 1600 МГц, SODIMM 204-контактный, 1x8 Гб, 12800 Мб/с, 1.35 В, CL: 11

DDR3, 1600 МГц, SODIMM, 1x4 Гб, 12800 Мб/с, 1.5 В, CL: 11, tRCD: 11, tRP: 11, tRAS: 28

DDR4, 2666 МГц, SODIMM 260-контактный, 1x16 Гб, 21300 Мб/с, 1.2 В, CL: 19