SSD Итерфейс PCI-E

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб (буфер: 2048 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6900 Мб/с, скорость чтения: 7450 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1800 Мб/с, скорость чтения: 2400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 4000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 4100 Мб/с, скорость чтения: 4800 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 2600 Мб/с, скорость чтения: 3100 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 900 Мб/с, скорость чтения: 1500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 250 Гб (буфер: 512 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: QLC 3D NAND, скорость записи: 3600 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6800 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 7000 Мб/с, скорость чтения: 7000 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: V-NAND 3-bit MLC, скорость записи: 3000 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6600 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 2000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 6400 Мб/с, скорость чтения: 7400 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2000 Мб/с, скорость чтения: 3400 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 512 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 2700 Мб/с, скорость чтения: 5000 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 4900 Мб/с, скорость чтения: 5150 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 1000 Гб (буфер: 1024 Мб), форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3300 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4, NVMe, TRIM

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 3900 Мб/с, скорость чтения: 7300 Мб/с, PCI-E 4.0 x4, NVMe

объем 256 Гб, форм-фактор: M.2, флэш-память: TLC 3D NAND, скорость записи: 1200 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 3.0 x4

объем 500 Гб, форм-фактор: M.2, скорость записи: 2100 Мб/с, скорость чтения: 3500 Мб/с, PCI-E 4.0 x4